10月17日音讯，今天，三星电子内存业务安妥东说念主Lee Jung-Bae发表著述，称三星已出产出基于其第九代V-NAND闪存居品的运行芯片，但愿明岁首不错杀青量产。同期三星还正在成就行业内率先的11纳米级DRAM芯片。

　　该安妥东说念主还暗示，关于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；关于NAND闪存，正在通过加多堆叠层数、同期裁减高度来杀青半导体行业最小的单位尺寸。

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　　这一盘算也将使三星的进程跳跃SK海力士，SK海力士曾在不久前文告盘算在2025年驱动量产321层NAND芯片。

　　瞻望三星第9代NAND闪存芯片仍将收受双堆叠时代，其中包括在两个孤苦历程中创建NAND存储器，然后将它们拼装在一说念。

　　与老敌手三星不同，SK海力士的300层NAND居品收受的是三重堆叠时代，每组辞别堆叠120层、110层和91层，临了组合成一个芯片。

　　比拟于三重堆叠，双堆叠工艺在出产资本和成果上存在着不小的上风。三星此举亦然为了用资本上风来越过敌手，从而自在其市集率先地位。

　　在旧年举办的三星时代日上引流客户的最快方法是什么，三星暗示将在2030年杀青堆叠多达1000层的时代。干系词如若不收受三重堆叠工艺，要杀青跳跃400层的堆叠将是一个挑战。因此业内东说念主士暗示三星可能会在第10代430层居品中驱动收受三重堆叠时代。